삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512기가바이트(GB) DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도이다.

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량 고성능 저전력을 구현했다. 이에 따라 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 줄었다. 삼성전자는 이 제품이 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 사용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대했다.

삼성전자는 이번 제품에 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘전통관극(TSV) 기술을 적용했다. TSV는 반도체칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 와이어로 칩을 연결하는 종전 기술에 비해 데이터 전송 속도가 빨라지고 전기도 적게 소모한다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장 확대와 데이터 기반 응용처 확산에 따라 16기가비트(Gb) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.

삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.