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삼성전자는 ‘열압착 비전도성 접착 필름’(Advanced TC NCF) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현했다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.

삼성전자는 접착 필름 소재 두께도 지속적으로 낮춰 업계 최소 칩간 간격인 7마이크로미터(um)를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 범프(Bump)는 칩 사이를 전기적으로 연결하기 위해 형성한 전도성 돌기를 말한다

삼성전자는 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 GPU 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있다고 설명했다.