삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 회복에 나섰다.

삼성전자는 업계 최초로 36기가바이트(GB) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다.

HBM은 거대 인공지능(AI) 모델이 대규모 연산과 추론을 빠르게 진행할 수 있게 해주는 AI반도체다. 현재 세계에서 삼성전자와 SK하이닉스 두 회사만 HBM 상용제품을 생산하고 있다. 삼성전자는 지난해 갑작스럽게 커진 HBM 시장에 발 빠르게 대처하지 못해 점유율 면에서 SK하이닉스에 밀리고 있는 상황이다.

업계에선 이번 삼성전자의 36GB HBM3E D램 개발 성공이 메모리 시장 절대강자인 삼성전자가 HBM 시장에서도 주도권을 회복하는 계기가 될 것으로 예상한다.

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘전통관극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.

삼성전자에 따르면 HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다. HBM3E가 제공하는 초당 1280GB 처리속도는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 처리할 수 있다. 고성수 기자 ssgo@naeil.com