삼성전자가 낸드플래시 경쟁에서 경쟁자들을 또 한번 앞섰다.

삼성전자는 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드’(사진) 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.

낸드플래시 업계는 데이터 저장공간이 셀을 여러 층 쌓아 저장용량를 키우는 적층 경쟁을 벌이고 있다.

업계에선 삼성전자 9세대 V낸드가 업계 최고인 290단 적층을 실현한 것으로 보고 있다. 삼성전자는 2022년 11월 236단 8세대 V낸드를 양산을 시작한 바 있다.

삼성전자는 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 ‘비트 밀도’를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트의 수다.

회사측은 “더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다”고 설명했다. 또 “9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품”이라며“채널 홀 에칭 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다”고 덧붙였다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.

삼성전자는 9세대 V낸드에 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘토클(Toggle) 5.1’이 적용했다. 이를 통해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 입출력 속도를 구현했다.

한편 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 보급형 제품인 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정이다. 나갈 것”이라고 말했다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com