필요하다. 하지만 기존 NDT 트랜지스터는 CMOS 공정과의 호환성과 대면적 집적에 한계가 있었다. 이러한 한계를 극복하기 위해 정재경 교수 연구팀은 CMOS 공정 중 하나인 스퍼터링(Sputtering)을 활용하고, 저온 공정에 적합한 고성능 p채널 산화물 ‘텔루륨 산화물(TeOx)’과 n채널 산화물 ‘인듐갈륨주석산화물(IGTO)’을 적용했다. 이를 통해
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