삼성전자가 속도와 전력효율을 획기적으로 개선한 플래시메모리를 개발했다. 클라우드가 아닌 기기 내부에서 데이터 연산이 이뤄지는 온디바이스인공지능(AI)에 최적화된 메모리라는 평가가 나온다.

삼성전자는 업계 최고 성능 차세대 ‘유니버설플래시스토리지(UFS) 5.0’ 메모리 설루션을 업계 최초로 개발했다고 23일 밝혔다. ‘UFS 5.0’은 반도체 표준화 기구 ‘JEDEC’의 최신 내장 메모리 규격이다.

이 제품은 삼성전자 첨단 9세대 V낸드(V9) 기반으로 개발돼 업계 최고 수준 데이터 전송 대역폭과 전력 효율을 동시에 구현했다.

우선 순차 읽기 속도 10.8GB/s(초당 10.8GB), 순차 쓰기 속도 9.5GB/s를 지원한다. 이에 따라 기존 UFS 4.1 대비 약 2배 이상 빠르게 데이터를 저장∙처리할 수 있다.

특히 AI 응용 환경에서 요구되는 다양한 데이터 처리에 최적화돼 온디바이스AI 환경에서 데이터 처리 지연을 줄이고 보다 빠른 응답 속도의 AI서비스를 지원한다.

또한 이 제품은 차세대 모바일 저전력 환경에 최적화된 △클락 게이팅 △멀티 전압 등 다양한 신규 기술을 적용해 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선했다. 이를 바탕으로 동일한 양의 데이터를 전송할 때 소모되는 전력을 크게 낮춰 모바일 기기의 배터리 사용 시간을 향상시켰다.

클락 게이팅은 사용하지 않는 회로의 동작 신호를 차단해 전력 효율을 높이는 기술이다. 멀티 전압은 회로별 최적 전압을 적용해 소비전력과 발열을 줄이는 기술이다.

삼성전자는 UFS 5.0을 가로 7.5mm, 세로 13mm, 높이 0.9mm로 전작 대비 16.7% 작아진 패키지를 구현해 모바일 웨어러블 확장현실(XR)기기 등의 설계 유연성과 공간 활용성도 높였다.

한편 삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0 양산을 시작한다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com