삼성전자가 업계 최고 속도인 '24기가비피에스(Gbps) GDDR6 D램'(사진)을 개발했다고 14일 밝혔다.

이 제품은 그래픽 D램으로 극자외선(EUV) 노광 장비를 활용한 3세대 10나노급(1z) 공정을 기반으로 한 16가가비트(Gb) 제품이다.

10나노급 D램은 1세대(1x) 2세대(1y) 3세대(1z) 4세대(1a) 등으로 표기한다.

삼성전자는 이 제품에 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 기술을 적용했다. 이에 따라 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도가 빨라졌다.

하이케이 메탈 게이트는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술이다.

삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구(EDEC)의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해 AI·그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보하면서도 업계 최고 속도를 구현했다.

이 제품을 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재할 경우, 최대 초당 1.1테라바이트(TB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 고화질(풀HD급) 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용해 고객의 다양한 요구에 맞춰 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. 특히 동작 전압을 기존 1.35V보다 낮은 1.1V까지 지원해, 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 증가할 것으로 기대된다.

동적 전압 기술은 D램 동작 전압을 동적으로 변경해 성능과 전력 소모를 조절하는 기술이다.

삼성전자는 이 제품이 PC 노트북 게임콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 더욱 차별화된 사용자 경험을 제공할 것으로 예상했다.

또 향후 차세대 고성능 컴퓨팅(HPC) 전기차 자율주행차 등 다양한 분야에서도 폭넓게 활용될 것으로 기대했다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 "24Gbps GDDR6 D램은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정"이라며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고, 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 고성능 그래픽 D램 시장은 매년 두 자릿수 이상의 성장이 예상되며, 삼성전자는 그래픽 D램 시장에서 차별화된 솔루션으로 시장 성장을 주도하고 있다.

삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 공급하고, 2021년 10월 EUV 공정을 활용한 업계 최소 선폭의 D램을 양산하는 등 차별화된 EUV 기술 공정 노하우를 갖추고 있다.