차세대 고대역폭메모리(HBM) 주도권을 잡기위한 경쟁이 뜨거워지고 있다.

SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. 이는 지난달 말 삼성전자가 고객사 공급을 공개한 것에 뒤이은 것으로 양사간 AI 메모리 경쟁이 본격화 될 것으로 해석된다.

SK하이닉스에 따르면 이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16기가비피에스(Gbps. 초당 기가비트) 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선했다.

또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다.

SK하이닉스는 “HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다”며 “특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다”고 설명했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 말한다.

안 현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어갔다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 할 것”이라고 말했다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com