SK하이닉스가 최첨단 극자외선 노광장비를 도입해 메모리 공정 경쟁력 확대에 나섰다.

SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 ‘하이(High) NA 극자외선(EUV)’ 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

업계에 따르면 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

High NA EUV는 기존 EUV 보다 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다. NA(개구수)는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치로 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현 가능하다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로 High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com