삼성전자의 첨단 D램반도체 기술을 부정사용한 혐의로 구속기소된 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 전 임직원들에 대한 첫 재판이 5일 열렸다. 서울중앙지방법원 형사합의24부(이영선 부장판사)는 이날 불법유출된 국가핵심기술을 부정사용(산업기술 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반)한 혐의를 받는 CXMT 양 모 전 개발실장 등 핵심 개발인력 3명에 대한 공판준비기일을 열었다.

공소요지에 따르면 삼성전자에서 근무하던 양 씨 등은 CXMT로 이직한 뒤 18나노 D램 공정기술을 부정사용해 중국에서 처음 D램을 개발했다. 이 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 최신 공정이다. CXMT 2기 개발팀이었던 양씨는, 마찬가지로 삼성전자 출신으로 CXMT 1기 개발팀장이었던 김 모씨가 부정유출한 첨단기술을 넘겨받은 뒤 D램반도체를 역설계해 개발한 혐의로 재판에 넘겨졌다. 김씨는 올해 2월 1심재판에서 기술유출 역대 최고형량인 징역 7년(벌금 2억원)을 선고받은 바 있다. 항소심에서도 징역 6년(벌금 2억원)의 중형을 받았다.

이날 공판준비기일에서 변호인 측은 피고들은 널리 알려진 기술을 역설계해 반도체를 개발했을 뿐이라며 “첨단기술이 불법유출된 것을 알면서도 이를 이용한 게 문제인지, 아니면 삼성전자의 기술을 이용했다는 게 문제인지 검찰 공소요지가 불분명하다”고 석명을 구했다. 이에 검찰측은 “신의칙상 외부에 유출되면 안된다는 정보라는 점은 누구나 알 수 있다. 어떤 방법으로 빼냈는지까지 알아야 할 필요는 없다. 기술유출재판 판례는 산업기술 보호법 위반을 폭넓게 인정하고 있다”고 밝혔다.

다음 기일은 12월 3일로, 삼성전자 홍 모 직원이 증인으로 출석할 예정이다.

김은광 기자 powerttp@naeil.com