SK하이닉스, 321단 기반 모바일용 메모리 개발

2025-05-22 13:00:01 게재

쓰기 속도 40% 향상

내년 1분기 양산 돌입

SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 플래시를 적용한 유니버설플래시스토리지(UFS) 4.1(사진)을 개발했다고 22일 밝혔다.

UFS는 모바일용 플래시 메모리 규격이다.

SK하이닉스는 “모바일에서 온디바이스 인공지능(AI)을 안정적으로 구현하려면 탑재되는 낸드 설루션 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다”며 “AI에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 선도하할 것”이라고 말했다.

최근 온디바이스 AI 수요가 증가하며 기기의 연산 성능과 배터리 효율간 균형이 중요해지는 가운데 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성이 업계 표준으로 자리잡고 있다.

SK하이닉스 측은 “이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다”고 설명했다.

제품의 두께도 1㎜에서 0.85㎜로 줄여 초슬림 스마트폰에 탑재할 수 있도록 개발했다.

이 제품은 UFS 4세대 제품의 순차 읽기 최대 성능인 4300MB/s의 데이터 전송 속도를 지원한다.

모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상됐다.

이는 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능이다.

회사측은 “온디바이스 AI 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 공급하고 앱 실행 속도와 반응성을 높여 사용자가 체감하는 성능 향상에 기여할 것”으로 기대했다.

SK하이닉스는 512기가바이트(GB), 1테라바이트(TB) 두 가지 용량 버전으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.

고성수 기자 ssgo@naeil.com

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