인공지능(AI) 성능에 중요한 메모리 반도체를 더 빠르고 촘촘하게 만들 수 있는 기술이 나왔다.

고려대학교(총장 김동원) 전기전자공학부 유현용 교수와 DGIST(대구경북과학기술원) 권혁준 교수 공동 연구팀이 3차원 적층 DRAM의 성능을 높이는 새로운 구조를 개발했다고 3일 밝혔다.

차세대 DRAM 구조인 ‘2T0C’는 집적도를 높일 수 있다. 하지만 속도가 느리고 데이터 읽기 정확도가 떨어지는 문제가 있다.

연구팀은 두 가지 반도체 소재를 결합해 이 문제를 해결했다. 전력 소모가 적고 데이터 유지력이 좋은 소재와, 빠르게 정보를 읽어내는 실리콘을 함께 사용한 것이다.

또 고온 공정 문제를 해결하기 위해 레이저를 이용한 저온 공정 기술을 적용했다. 이를 통해 다른 부품을 손상시키지 않고 반도체를 층층이 쌓을 수 있게 했다.

그 결과 데이터 판독 안정성은 기존보다 100배 이상 좋아졌으며 읽기 속도는 약 7배 빨라졌다. 데이터 유지 시간도 크게 늘어났다.

연구팀은 이번 기술이 고성능 인공지능 칩과 차세대 메모리 개발에 활용될 것으로 기대하고 있다.